今天，我在原来的TL082+IRF上改进了一些东西。理由嘛，很简单。想改进一下原来的频率特性，让高频延伸至更高，低频下潜的更深，而且还要改善瞬态反应。原来的TL082+IRF在驱动MOS的时候我没有施加电阻，造成了在高频时MOS的结电容和运放构成不良的耦合，方波上升到顶的时候有寄生振荡，而且边缘很明显，到200KHz的时候几乎没输出了。现在，1：我把驱动MOS的部分改为了47放大 ，驱动更强 2：偏压部分将原来的末级改为到IC的VDD和VSS，增加滤波性能 ，大大改善背景的低频噪音 3：取消大环回，改善高频瞬态反应（这个对改善瞬态特见效，我在搞视频放大里学到的） 4：增加了滤波电容，将原来的6颗增加到12颗，总容量达到30000uF，电源的总纹波下降到200mVp-p。5：后级偏压调节改用高精密电位器，调节更准确 6：更合理的布局，有艺术效果，你说呢？经过以上的打造，新TL082+IRF诞生了，我可以看到充分的发挥了TL082的性能，从输入前到输出能够达到16V/us，比官方的资料还高呢；带宽3Hz～250KHz（正弦波，80％增益范围）以下是电路图和一些实物图片。THD我没有仪器测量，不知道多少，不过我估计不会很大。 给我的感觉就是人的齿音更清晰，不刺耳，低音更均匀。
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