一般DVB DVD上都有SDRAM内存，看到上面的字母数字也许你不知道是什么意思，但是看了下面这篇文章。你就会对它有一些了解了。
一、 HYUNDAI （现代）
现代的SDRAM芯片上的标识为以下格式：
HY 5X X XXX XX X X X X XX -XX
HY代表是现代的产品。
5X表示芯片类型，57为一般的SDRAM，5D为DDR SDRAM。
第2个X代表工作电压，空白为5V，"V"为3.3V, "U"为2.5V。
第3-5个X代表容量和刷新速度，分别如下：
16： 16Mbits，4K Ref。
64： 64Mbits，8K Ref。
65： 64Mbits，4K Ref。
128：128Mbits，8K Ref。
129：128Mbits，4K Ref。
256：256Mbits，16K Ref。
257：256Mbits，8K Ref。
第6、7个X代表芯片输出的数据位宽，40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。
第8个X代表内存芯片内部由几个Bank组成，1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank。是2的幂次关系。
第9个X一般为0，代表LVTTL（Low Voltage TTL）接口。
第10个X可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新。
第11个X如为"L"则代表低功耗的芯片，如为空白则为普通芯片。
第12、13个X代表封装形式，分别如下：
JC ： 400mil SOJ
TC ： 400mil TSOP-Ⅱ
TD ： 13mm TSOP-Ⅱ
TG ： 16mm TSOP-Ⅱ
最后几位为速度：
7： 7ns （143MHz）
8： 8ns （125MHz）
10p： 10ns （PC-100 CL2 &3）
10s： 10ns （PC-100CL 3）
10 ： 10ns （100MHz）
12 ： 12ns （83MHz）
15 ： 15ns （66MHz）
注：例如常见的HY57V658010CTC-10s，HY是现代的芯片，57说明是SDRAM，65是64Mhbit和4K refresh cycles/64ms，下来的8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。
二、 LGS（LG Semicon Co.,Ltd。）
LGS的SDRAM芯片上的标识为以下格式：
GM72V XX XX X 1 X X T XX
GM代表为LGS的产品。
72代表SDRAM。
第1、2个X代表容量，类似现代，16为16Mbits ，66为64Mbits。
第3、4个X表示数据位宽，一般为4、8、16等，不补0。
第5个X代表Bank ，2对应2个Bank，4对应4个Bank，和现代的不一样，属于直接对应。
第6个X表示是第几人版本的内核，现在至少已经排到"E"了。
第7个X如果是字母"L"，就是低功耗，空白则为普通。
"T"? 见的TSOPⅡ封装，现在还有一种BLP封装出现，为"I"。
最后的XX自然是代表速度：
7.5：7.5ns （133MHz）
8： 8ns （125MHz）
7K：10ns （PC-100 CL 2&3）
7J：10ns （100MHz）
10K：10ns （100MHz）
12： 12ns （83MHz）
15： 15ns （66MHz）
注：例如GM72V661641CT7J，这是64Mbit，16 位输出，4个Bank，刚达到PC-100的要求（CL=3）SDRAM。
三、 SEC （Samsung Electronics）SEC
三星的SDRAM芯片的标识为以下格式：
KM4 XX S XX 0 X X XT-G/FX
KM代表是三星的产品。
三星的SDRAM产品KM后均为4，后面的"S"代表普通的SDRAM，如为"H"，则为DDR SDRAM。
"S"前两个XX表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。
三星的容量需要自己计算一下。方法是用"S"后的X乘S前的数字，得到的结果即为容量。
"0"后的第一个X代表由几个Bank构成。2为2个Bank，3 为难个Bank。
"0"后的第2个X，代表interface，1为SSTL，0为LVTTL。
"0"后的第3个X与版本有关，如B、C等，但每个字母下又有各个版本，在表面上并不能看得出来。
"T"为TSOP封装。
速度前的"G"和"F"的区别在自刷新时的电流，"F"需要的电流较"G"小，相当于一般的低功耗版。
"G/F"后的X代表速度：
7： 7ns（143MHz）
8： 8ns（125MHz）
H： 10ns（PC100 CL2&3）
L： 10ns（PC100CL 3）
10：10ns（100MHz）
注：例如KM416S4031BT-GH，是64Mbit（16*4），16，4个Bank，在100MHZ时CL=2。
四、Micron MT
Micron的SDRAM芯片上标识为以下格式：
MT48 XX XX M XX AX TG-XX X
MT代表是Micron的产品。
48代表是SDRAM系列。其后的XX如为LC则为普通SDRAM。46V为DDR SDRAM。
Mricron的容量需要自己计算一下。方法是将XX M XX中的M前后的数字相乘，得到的结果即为容量。
M后的XX表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。
AX代表Write Recovery（Twr），如A2表示Twr=2clk。
TG为TSOPⅡ封装。LG为TGFP封装。
最后的XX是]代表速度：
7： 7ns（143MHz）
75： 7.5ns（133MHz）
8X：8ns（125MHz）
其中X为A~E，字母越后性能越好。按CL-TRCD-TRP的表示方法A~E分别为：3-3-3、3-2-3、 3-2-2、2-2-2、2-2-2。
10：10ns（100MHz CL=3）
速度后如有L则为低耗。
注：例如MT48LC8M8A2TG-8E，64Mbit（8*8），8位，且是性能相当不错的芯片，完全符合PC-100规范。
五、 IBM
IBM的SDRAM芯片上的标识为以下格式：
IBM03 XX XX X XT3X ---XXX
IBM代表为IBM的产品。
IBM的SDRAM产品均为03。
第1、 2个X代表容量。
第3、4个X表示数据位宽，为40、80、16等。
一般的封装形式为TSOP。对4位数据位宽的型号，如第4个X不为0而为B，则为TSOJ封装。
第5个X意义不详，16Mbit上多为9，64Mbit上多为4。
第6个X为P为低功耗，C为普通。
第7个X表示内核的版本。
最后的XXX代表速度：
68： 6.8ns (147MHz)
75A: 7.5NS(133MHz)
260（或222）：10ns（PC100 CL2&3）*
360(或322)： 10ns（PC-100 CL3）*
10： 10NS（100MHz）
*在B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3时的标定速度为：135MHZ。
注：例如IBM0316809CT3D-10，16Mbit，8位，不符合PC-100规范。
六、 HITACHI （日立）
HITACHI的SDRAM芯片上的标识为以下格式：
HM 52 XX XX 5 X X TT-XX
HM代表是日立的产品，52是SDRAM，如为51则为EDO DRAM。
第1、2个X代表容量。
第3、4个X表示数据位宽，40、80、16分别代表4位、8位、16位。
第5个X表示是第几个版本的内核，现在至少已经排到"F"了。
第6个X如果是字母"L"就是低功耗。空白则为普通。
TT为TSOPⅡ封装。
最后XX代表速度：
75： 7.5ns(133MHz)
80： 8ns （125MHz）
A60： 10ns （PC-100 CL2&3）
B60： 10ns（PC-100 CL3）
注：例如HM5264805F-A60，是64Mbit，8位输出，100MHZ时CL可为2。
七、 NEC
NEC的SDRAM芯片上的标识通常为以下格式：
μPD45 XX X X XG5-AXX X-XXX
μPD4代表是NEC的产品。
"5"代表是SDRAM。
第1、2个X代表容量。
第3（4）个X表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位。当数
据位宽为16位和32位时，使用两位，即占用第4个X。由于NEC的标识的长度固定， 这会对下面的数字造成影响。
第4（5）个X代表Bank。"3"或"4"代表4个Bank，在16位和32位时代表2个Bank；"2"代表2个Bank。
第5个X，如为"1"代表LVTTL。如为16位和32位的芯片，第5个X已被占用，则第5个X有双重含义，如"1"代表2个Bank和LVTTL，"3"代表4个Bank和LVTTL。
G5为TSOPⅡ封装。
-A后的XX是代表速度：
80： 8ns （125MHz）
10： 10ns（PC100 CL 3）
10B：10ns 较10慢，Tac 为7，不完全符合PC100规范。
12：12ns
速度后的X如果是字母"L"就是低功耗，空白则为普通。
-XXX：第一人X通常为数字，如64Mbit芯片上常为准，16Mbit芯片上常为7，规律不详。其后的XX的"JF"、"JH"、"NF"等。估计与封装外型有关："NF"对应: 44-pinTSOP-（Ⅱ）；"JF"对应54-pin TSOP（Ⅱ）；"JH"对应86-pin TSOP-（Ⅱ）。
注：例如μPD4564841G5-A80-9JF，64Mbit，8位，4个Bank，在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2。
八、 TOSHIBA（东芝）
TOSHIBA的芯片上的标识为以下格式：
TC59S XX XX X FT X-XX
TC代表是东芝的产品。
59代表是SDRAM系列。其后的S为普通SDRAM，R为Rambus SDRAM，W为
DDR SDRAM。
第1、2个X代表容量。64为64Mbit，M7为128Mbit。
第3、4个X表示数据位宽，04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。
第5 个X估计是用来表示内核的版本。目前常见的为"B"。
FT为TSOPⅡ封装。
FT后如果有字母"L"就是低功耗，空白则为普通。
最后的XX是代表速度：
75： 7.5ns (133MHz)
80： 8ns （125MHz）
10： 10ns（100MHz CL=3）
注：例如TC59S6408BFTL-80，64Mbit，8位，可正常工作在125MHz，且为低功耗型号。
九、 华邦（Winbond）
华邦（Winbond）是国际知名的半导体研发及制造企业。相对其他内存芯片来说，华邦内存芯片的编号规则会简单些，下面，就向大家介绍华邦SDRAM、DDR SDRAM内存芯片的编号规则（如图所示）。
A字段由W组成，代表华邦（Winbond）内存芯片的前缀。
B字段表示产品类型。98代表SDRAM内存94代表DDR SDRAM内存。
C字段表示内存芯片的容量。16代表16Mbit（2MB）32代表32Mbit（4MB）64代表64Mbit（8MB）12代表128Mbit（16MB）25代表256Mbit（32MB）。要计算内存条的总容量，只需将内存芯片的容量乘上内存芯片的数量即可。
D字段表示内存结构。08代表×816或G6代表×1632或G2代表×32。
E字段表示内存芯片的修正版本。A代表第1版B代表第2版C代表第3版D代表第4版。
F字段表示内存芯片的封装方式。B代表60balls BGA、90balls BGA或144-Ball LF BGA封装D代表100-Pin LQFP封装H代表50-Pin 400mil TSOP、66-Pin 400mil TSOP或86-Pin 400mil TSOP封装。
G字段表示内存芯片的速度标识。对于SDRAM而言：-5代表200MHz（CL=3）-6代表166MHz（CL=3）-7代表143MHz（CL=3）或PC133（CL=2）-75代表PC133（CL=3）-8H代表PC100（CL=2）。对于DDR SDRAM而言：-4代表250MHz（CL=3/4）-5代表DDR400（CL=2.5）-5H代表200MHz（CL=3）-55代表183MHz（CL=3）-6代表DDR333（CL=2.5）-7代表143MHz（CL=2.5）或DDR266（CL=2）-75代表DDR266（CL=2.5）。
H字段表示工作温度类型（此字段也可空白）。空白或L代表正常温度（0℃～70℃），I代表工业温度（-40℃～85℃）或扩大温度（-25℃～85℃）。
