不同耐压的MOS管，其导通电阻中各部分电阻比例分布不同。如耐压30V的MOS管，其外延层电阻仅为总导通电阻的29%，耐压600V的MOS管的外延层电阻则是总导通电阻的96.5%。
不同耐压MOS管的区别主要在于，耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢，因此，它们的特性在实际应用中也表现出了不一样之处，如耐中低压MOS管只需要极低的栅极电荷就可以满足强大电流和大功率处理能力，除开关速度快之外，还具有开关损耗低的特点，特别适应PWM输出模式应用；而耐高压MOS管具有输入阻抗高的特性，在电子镇流器、电子变压器、开关电源方面应用较多。
银联宝科技低压MOS管AP2300 特征：
1.VDS =20V,R DS(on) =0.025Ω@V GS =4.5V,ID =5.2A
2.VDS =20V,R DS(on) =0.031Ω@V GS =2.5V,ID =4A
3.功率MOSFET 100%测试
4.产品型号：AP2300
5.工作方式：5.2A/20V 漏源电压：20V 栅源电压：±10A 漏电流连续：5.2A 脉冲漏极电流：16A 雪崩电流：1.25A 耗散功率：1.25W 热电阻：100V/℃ 漏源击穿电压：20V 栅极阈值电压：1V 输入电容：555PF 输出电容：120PF 上升时间：7.5ns 封装形式：SOT-23
银联宝科技公司紧密结合自身器件与工艺设计技术领先的优势，与国际一流的芯片代工厂、封装、测试代工厂保持密切配合与合作，严谨产品质量控制，保证产品的持续优质和稳定供货。 该公司产品的特点是：性能与可靠性超越同行，应用偏向高端。注重品牌和信誉。