1．半导体中的载流子有两种导电运动，一种称为  （ 扩散 ）  运动，另一种称为   （漂移  ）运动。
2．半导体中有两种载流子：一种是  （自由电子） 、另一种是  （空穴） 。
3．半导体中的扩散运动是由于载流子（浓度的不均匀 ）而引起的。
4．半导体中的漂移运动是由于载流子 （ 在电场的作用下  ） 而引起的。
5．本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目  （ 少  ）     。
6．在本征半导体中加入五价元素后,将形成 （  N  ） 型半导体。
7．在本征半导体中加入三价元素后, 将形成 （  P  ） 型半导体。
8．N型半导体中空穴是    （ 少数 ）  载流子。
9．P型半导体中空穴是  （ 多数 ）     载流子。
10．P型半导体中自由电子是  （ 少数 ） 载流子。
11．N型半导体中自由电子是  ( 多数 ）   载流子。
12．PN结中的电流当温度升高时将会  （ 增加  ）   。
13．二极管的主要特性是它的  （单向导电性   ）    。
14．二极管的正向电阻比反向电阻 （ 小 ）  得多。
15．二极管的伏安特性是I =  Is（e x p V / Vt  — 1 ）。
16．硅管的门限电压约为   (  0.6  )  V 。
17．锗管的门限电压约为  (  0.2  )  V 。
18．稳压二极管稳压时应工作于  (  反向击穿区  )  。