快充技术面世以后发展的速度不可不称为神速，不但各种各样的快充如雨后春笋般冒出来，技术的更新换代也非常的快。就比如高通的QC快充，短短的时间内，现在都已经到QC4.0的时代了，我们知道现在QC快充和PD快充是现在的两大主流快充技术。今天我们回顾一下从QC1.0到QC4.0快充技术的发展历程。
最早的5V0.5A充电就远远不够看了，然后大家就开始一点点的提升充电器的功率。这个时候高通站出来了，直接搞了个5V2A，就这样QC1.0就出来了。
5V2A充电器芯片TB6806的特点：
1.效率满足六级能效要求
2.低待机功耗小于75mW
3.原边反馈,内置600V 功率MOSFET
4.QR-PSR控制提高工作效率
5.封装：SOP-8和DIP-8

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大屏智能手机还在继续发展，电池续航能力还是跟不上，快充也成为了各大手机厂商的卖点之一，于是QC2.0诞生了。QC2.0打破了常规的5V充电电压，直接提升到了9V/12V/20V，在与QC1.0保持相同2A电流下实现了18W大功率电力传输。
9V2A充电器芯片TB6818的特点：
1.原边反馈/内置MOSFET
2.内置环路补偿，省去额外的补偿或滤波电容
3.提高系统效率优化降频曲线和减小电磁干扰，可实现轻载无异音
4.多模（Multi-Mode）控制的高精度原边反馈控制（PSR）恒流恒压（CC/CV）控制器
5.封装：SOP-8

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QC2.0把功率是提上去了，但是出现了两个问题，第一个是由于电压太高，充电的效率下降了，第二个是充电时热量太大，于是高通又搞出了个QC3.0。
在QC2.0 9V/12V两档电压基础上，进一步细分电压档，采用独特的电压智能协商算法以200mV为一档设定电压，最低可下探至3.6V最高电压20V，并且向下兼容QC2.0。然后使用Type-c接口取代原来的MicroUSB接口，最大电流也提升到了3A。这样就把效率和充电都提高了，同时也降低了发热率。
现在QC4.0已经出来了，并把功率又提升至了28W，兼容USB PD协议，压档继续细分以20mV为一档。
12V3A充电器芯片TB3865的特点：
1.恒流控制支持CCM和DCM模式
2.自动补偿输入电压.电感感量变化
3.±5％恒压恒流精度, 快速动态响应控制
4.副边反馈/外驱MOSFET,待机功耗小于75Mw
5.封装：SOT23-6

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