高通在的Quick Charge 3.0（QC3.0），比起还没全面普及的QC2.0技术 提升了27%的充电速度，减少功率损耗45%。高通快速充电使用的是提高电压的方式来减少线损，高通到目前一共有三代快速充电技术，分别是：
高通QC1.0：输出规格5V/2A，基本都是骁龙600平台；
高通QC2.0：输出规格5V/9V/12V三档，最大电流3A，也就是目前使用最广泛的一种快速充电技术；支持的平台包括了骁龙200/400 /410/615/800/801/805/810，另外也授权给其他厂商使用，例如三星的快速充电技术、Intel的Boost Master快速充电技术其实也属于高通QC2.0；
高通QC3.0：使用了被称为最佳电压智能协商（Intelligent Negotiation for Optimum Voltage，INOV）的算法，支持3.6V到20V的工作电压动态调节，以200mV为步进。兼容的平台包括了高通骁龙820、620、618、617和430，并且向下兼容QC2.0和QC1.0的设备，可以使用在USB Type-A接口、USB micro接口和USB Type-C接口上。
随着手机的屏幕越来越大，处理器的性能越来越强并升级多核。为保证续航，手机的电池容量也变大，这样造成充电时间不可避免的变长。如何缩短充电时间已成为手机应用及更多移动终端设备的一大瓶颈。相继出现基于不同厂商的快速充电解决方案，能够短暂的时间内有效提升充电效率。
所以目前市场上出现了很多快充电源方案，银联宝科技其中一款18W的快充方案得到行业里的认可。现在是银联宝电子科技有限公司主推的一款快充方案，详细的资料，欢迎咨询。