Rds(on)：DS的导通电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻
Id：最大DS电流.会随温度的升高而降低
Vgs: 最大GS电压.一般为：-20V~+20V
Idm: 最大脉冲DS电流.会随温度的升高而降低，体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系
Pd: 最大耗散功率
Tj: 最大工作结温，通常为150度和175度
Tstg: 最大存储温度
Iar: 雪崩电流
Ear: 重复雪崩击穿能量
Eas: 单次脉冲雪崩击穿能量
BVdss：DS击穿电压
Idss: 饱和DS电流，uA级的电流
Igss: GS驱动电流，nA级的电流.
gfs: 跨导
Qg: G总充电电量
Qgs: GS充电电量
Qgd: GD充电电量
Td(on): 导通延迟时间，从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间
Tr: 上升时间，输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间
Td(off): 关断延迟时间，输入电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间
Tf: 下降时间，输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间 。
Ciss: 输入电容，Ciss=Cgd + Cgs.
Coss: 输出电容，Coss=Cds +Cgd.
Cr: 反向传输电容，Cr=Cgc.
低压MOS管 AP8205A TSSOP8特点：
双N沟道TSSOP8薄体，密脚的
较小的导通电阻RDS（on）
低栅极电荷，栅极工作电压低至2.5V
适用于保护电路，开关电路
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根据以上参数，是否对表格有了一定的了解呢？我想一定很简单吧。
银联宝电子技术研发人员为核心的设计团队，成功完成新型工艺为代表MOSFET产品的设计和生产定型，大幅度降低了产品的RDS(ON)，提高客户产品的转换效率，并率先将该类型产品在中国市场推出，产品的相关测试数据均达到欧美同类产品，同样这高温可靠性和稳定性方面表现优越。银联宝电子持续改进，永不止步期待与您一起努力向市场提供，更高性价比产品，共同提升核心竞争力。
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