1．半导体中的载流子有两种导电运动，一种称为 （ 扩散 ） 运动，另一种称为 （漂移 ）运动。
2．半导体中有两种载流子：一种是 （自由电子） 、另一种是 （空穴） 。
3．半导体中的扩散运动是由于载流子（浓度的不均匀 ）而引起的。
4．半导体中的漂移运动是由于载流子 （ 在电场的作用下 ） 而引起的。
5．本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目 （ 少 ） 。
6．在本征半导体中加入五价元素后,将形成 （ N ） 型半导体。
7．在本征半导体中加入三价元素后, 将形成 （ P ） 型半导体。
8．N型半导体中空穴是 （ 少数 ） 载流子。
9．P型半导体中空穴是 （ 多数 ） 载流子。
10．P型半导体中自由电子是 （ 少数 ） 载流子。
11．N型半导体中自由电子是 ( 多数 ） 载流子。
12．PN结中的电流当温度升高时将会 （ 增加 ） 。
13．二极管的主要特性是它的 （单向导电性 ） 。
14．二极管的正向电阻比反向电阻 （ 小 ） 得多。
15．二极管的伏安特性是I = Is（e x p V / Vt — 1 ）。
16．硅管的门限电压约为 ( 0.6 ) V 。
17．锗管的门限电压约为 ( 0.2 ) V 。
18．稳压二极管稳压时应工作于 ( 反向击穿区 ) 。
